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深圳市中圖儀器股份有限公司

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無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào):WD4000

品       牌:CHOTEST/中圖儀器

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:深圳市

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更新時(shí)間:2024-07-04 17:56:03瀏覽次數(shù):551次

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價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,綜合
WD4000無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。

中圖儀器WD4000無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。

無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備

測(cè)量功能

1、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過(guò)濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。


產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測(cè)量

集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組,使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測(cè)量。

2、高精度厚度測(cè)量技術(shù)

(1)采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點(diǎn)、線、面的自動(dòng)測(cè)量。

3、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)

(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲,獲得高測(cè)量重復(fù)性。

(3)機(jī)器視覺(jué)技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn),虛擬夾具擺正樣品,可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量。

4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺(tái)

(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),移動(dòng)速度500mm/s。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。

(3)關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng),搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設(shè)備的高精度、高效率。

5、操作簡(jiǎn)單、輕松無(wú)憂

(1)集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作。

(2)具備雙重防撞設(shè)計(jì),避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

(3)具備電動(dòng)物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單。

無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備


WD4000無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確??蓪?shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。


應(yīng)用場(chǎng)景

1、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備

通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。


2、無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量

無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量設(shè)備

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,測(cè)量穩(wěn)定性良好。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號(hào)WD4000系列
測(cè)量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可測(cè)材料砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng)
可測(cè)材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測(cè)量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測(cè)量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))
可測(cè)樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復(fù)性0.005nm
測(cè)量參數(shù)顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測(cè)厚度0.4um
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng)
光源SLED
測(cè)量范圍37-1850um
晶圓尺寸4"、6"、8"、12"
晶圓載臺(tái)防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)
X/Y/Z工作臺(tái)行程400mm/400mm/75mm

請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解。

如有疑問(wèn)或需要更多詳細(xì)信息,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。


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